Kore medyasının bildirdiğine göre, Samsung yakın gelecekte yeni bir V-NAND bellek neslinin üretimine başlamayı planlıyor, yani 9. nesil. Bu nesilde, 290 katmana sahip bir belleğin, overlapping ve katmanlar arasındaki elektrik bağlantıları gibi ileri teknolojiler kullanılarak üretileceği bekleniyor. Şu anda üreticiler en fazla 236 katmana sahip çözümler sunuyorlar. V-NAND 9. neslin piyasaya sürülmesi, Samsung’un endüstride yeni bir standart belirlemesine olanak tanıyacak. Bu tür bir belleğin önümüzdeki ay zaten piyasaya çıkması bekleniyor.

Şirket hedefini gerçekleştirdikten sonra durmayı planlamıyor. Samsung, V-NAND belleği 10. nesil üzerinde çalışmalarını sürdürüyor ve 430 katmana ulaşmayı hedefliyor. Ancak bu belleğin gelecek yıl piyasaya sürülmesi bekleniyor. NAND bellek endüstrisinin katman sayısı yarışına girdiği gözüküyor ve şu anda Samsung, rakipleri SK Hynix ve Kioxia’yı güvenle geride bırakıyor.