Samsung, 1 TB kapasiteli 3D QLC NAND teknolojili 280 katmanlı flaş belleği tanıtacak. Yeni flaş belleğin 28,5 Gbit/mm²’lik kayıt yoğunluğu ve 3,2 GB/s’lik veri aktarım hızı sayesinde SSD’lerin ve akıllı telefonların performansını ve depolama kapasitesini artırması bekleniyor. Bu, NVMe tabanlı önde gelen SSD’lerde kullanılan mevcut 3D NAND flaş bellekten (veri aktarım hızı en fazla 2,4 GB/s) daha yüksek bir performans sunuyor.

Ayrıca Samsung, potansiyel olarak DDR5-8000 veri aktarım hızı ve 32 Gbit yoğunluğa (yani 4 GB’lık eşdeğeri) sahip bir sonraki nesil DDR5 bellek çipini tanıtacak. Bu gelişme, 32 GB’lık tek sıralı PC-DIMM modüllerinin üretilmesine olanak tanıyor. Çip, simetrik mozaik DRAM hücre mimarisi kullanıyor ve Samsung’un DRAM ürünleri için özel olarak geliştirilmiş 10nm sınıfında 5. nesil teknoloji sürecini kullanıyor.

DDR5’in yeniliği, tek sıralı yapılandırmalarda DDR5-8000 hızında 32 GB ve 48 GB’lık DIMM modüllerinin üretilmesine imkan veriyor. Ayrıca, platformun DDR5-8000’ı çift sıralı modda destekleyebilmesi durumunda 64 GB ve 96 GB’lık çift sıralı DIMM modüllerini de destekliyor. Bu, yüksek kapasiteli ve yüksek hızlı bellek çözümlerinin hesaplama platformlarında daha fazla kullanım potansiyeline sahip olmasını sağlıyor.