SanDisk, DRAM’a alternatif olarak 3D Matrix Memory’yi tanıttı — yeni bir tür çalışma belleği. Bu RAM, aynı çip alanında dört kat daha fazla kapasiteye sahip ve fiyatı da yarı yarıya daha ucuz. Şirket, yeni teknolojiyle veri başına %50’ye kadar tasarruf sağlamak mümkün olduğunu vaat ediyor. Bu gelişme, DRAM’ın yüksek maliyetini ve teknik sınırlamalarını çözmeyi amaçlıyor (detaylar aşağıda):

Bu Teknoloji Nedir?

Yeni bellek, hücre dizilerinin yalnızca yatay olarak değil, aynı zamanda birbirinin üzerinde birkaç katman halinde yerleştirildiği çok katmanlı bir mimariye dayanır. Bu yaklaşımla, çipin boyutunu büyütmeden kapasiteyi artırmak mümkün. 3D Matrix Memory ayrıca CXL gibi endüstri standartları ile uyumlu, bu da onun modern sistemlere kolayca entegre edilmesini basitleştirir. SanDisk bu teknoloji üzerinde IMEC araştırma merkezi ile birlikte çalışıyor.

CXL (Compute Express Link), etkili bir şekilde tek bir sistemde yüksek performanslı işlemciler, çalışma belleği ve hızlandırıcılar (örneğin, GPU, FPGA, özel AI çipleri) birleştirmek için oluşturulmuş yüksek hızlı bir arabirimdir. Temel alınan PCI, gecikmeleri azaltmak, bant genişliğini artırmak ve modern hesaplama sistemlerinde, sunucular ve veri merkezleri de dahil olmak üzere, paylaşılan bellekle çalışmayı optimize etmek için kullanılır.

Yeni Teknolojiye Neden İhtiyaç Var?

Bu, artan veri işleme talepleri ile belleğin kapasitesi ve hızının artık ayak uyduramadığı taktirde ortaya çıkan "bellek duvarı"nı aşmak içindir. SanDisk, DRAM teknolojilerinin gelişiminin yavaşladığını, Moore yasasının artık eskisi gibi işlememediğini, işlemci gücü ile bellek arasındaki uçurumun büyüdüğünü ve üretimin gittikçe daha pahalı hale geldiğini açıklıyor.

Yeni Teknoloji Özellikleri

3D Matrix Memory, mevcut durumu bir "can simidi" gibi çözüme kavuşturuyor. Şirket, yeni teknolojinin, DRAM’a kıyasla veri depolama maliyetini %50’den fazla düşürebileceğini belirtiyor. İşte yeni ürünün temel özellikleri:

• Yüksek Veri Yoğunluğu. 3D Matrix Memory, fiziksel alanın aynı kalmasına rağmen daha fazla bellek hücresi yerleştirmeyi mümkün kılan üç boyutlu bir mimari kullanır. Bu, tek katlı bir ev yerine çok katlı bir bina inşa etmeye benzer: aynı alan üzerinde daha fazla yer.

• Ekonomik Verimlilik. Yeni yapının ve üretim süreçlerinin bir sonucu olarak, bir veri bitinin depolama maliyeti azalır. SanDisk, üretimin başlamasından altı yıl sonra maliyetin DRAM ile karşılaştırıldığında %50’den fazla tasarruf sağlanacağını tahmin ediyor.

• Modern Standartlarla Uyumluluk. Teknoloji, CXL (Compute Express Link) ile uyumludur, bu yüzden mevcut sistemlere kolayca entegre edilebilir.

3D Matrix Memory’nin geliştirilmesi 2017 yılında başladı. Proje, bireysel bileşenlerin oluşturulmasından karmaşık CMOS yapılarına kadar uzun bir yolu kat etti. Sonraki önemli adım, Western Digital’in 150 mm’lik waferlarından IMEC’in 300 mm’lik waferlarına geçiş yapılacak olan araştırma fabrikasından üretim tesisi dönüşümüdür.

Birinci parti örneklerin 32–64 Gbit kapasiteye sahip olması bekleniyor. SanDisk, performans detaylarının tümünü açıklamasa da, bunun önemli bir ilerleme olduğu açık. Her şey plana göre giderse, 3D Matrix Memory, yalnızca bir DRAM alternatifi olmayacak, aynı zamanda veri depolamayı daha erişilebilir ve etkin kılan bir atılım olacak.

Yeni belleğin yanı sıra, şirket yeni katı hal sürücüleri de tanıttı. Örneğin, veri merkezleri için 128 TB SSD — bu, cebinizdeki tüm bir kütüphane demek! Ayrıca, SanDisk gelecek planlarını paylaştı: 2026’ya kadar 256 TB, 2027’ye kadar 512 TB ve belki de sonunda 1 PB’lik bir sürücüyü piyasaya sürmeyi hedefliyor.